- Статус: Есть на складе
Транзистор HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D является N-канальным с очень быстрым, антипараллельным диодом.Cочетает в себе лучшие характеристики МОП-транзисторов и биполярных транзисторов. Это устройство имеет высокий вх... Читать далее
Транзистор HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D является N-канальным с очень быстрым, антипараллельным диодом.
Cочетает в себе лучшие характеристики МОП-транзисторов и биполярных транзисторов.
Это устройство имеет высокий входной импеданс МОП-транзистора и низкой потерей проводимости биполярного транзистора.
Технические параметры
Структура n-канал
Максимальное напряжение кэ ,В 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 75
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.6
Управляющее напряжение,В 7
Мощность макс.,Вт 463
Температурный диапазон,С -55…150
Корпус TO-247